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据韩媒 The Elec 报道,存储器大厂三星组建一支专业团队,负责开发 4F² DRAM 储存单元结构。相较现有6F²DRAM储存单元结构,不改变制程下,4F²DRAM储存单元结构芯片面积最高可减少达30%。原本4F Square是种单元结构技术,DRAM产业早在10年前就尝试商业化,但以失败告终。
三星再组织团队,研发4F²DRAM储存单元结构芯片,新结构晶体管根据电流流入和流出方向,形成源极(S)、栅极(G)和漏极(D)等整套系统。
结构就是在漏极(D)上方安装储存电荷的电容器,晶体管和水平排列的 WL 线和垂直排列的 BL 线接触。WL 连到栅极(G),负责晶体管开与关; BL 连到源极(S),负责读取和写入数据。