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三星电子今日宣布，成功开发首款采用12纳米级制程技术的16Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成兼容性产品评估。

三星表示，技术突破是藉使用新高介电（high-k）材料，以增加单元电容，并进一步改善关键电路特性专利设计技术达成。

三星数据显示，整合先进多层极紫外（EUV）微影曝光技术后，新DRAM拥有三星最高裸片密度（Die density），并可使晶圆生产率提高20%。采用DDR5最新标准，三星12纳米级DRAM可提供高达7.2Gbps传输速度。能效方面，与上一代三星DRAM产品相较，12纳米级DRAM功耗降低约23%。

AMD高级副总裁、企业研究员暨客户、计算和图形技术长Joe Macri指出，创新通常需要与产业伙伴密切合作，以推动技术发展。很高兴再次与三星合作，特别是推出 Zen 平台经优化和验证的 DDR5 内存产品。

三星指出，随着2023年新款DRAM量产，计划将采用先进12纳米技术的DRAM产品扩展到更广市场。