公司内部以及合作开发的七款设计工具可以为45W至140W的适配器带来高性能650V氮化镓FET的优势

加州戈利塔--(新闻稿)-- (美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)宣布推出七款参考设计，旨在加快基于氮化镓的USB-C PD电源适配器的研发。该参考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，覆盖多种拓扑结构、输出和功率（45W至140W）。

SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势，这些特点已经成为Transphorm氮化镓器件的代名词。在最近的对比分析中，与175毫欧的e-mode氮化镓器件 相比，Transphorm的240毫欧SuperGaN FET在温度超过75℃时显示出更低的导通电阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下拥有更高的性能。

(相关资料图)

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电源适配器参考设计Transphorm的参考设计组合包括五款开放框架的USB-C PD参考设计，频率范围从140到300 kHz。其中包括Transphorm与Silanna Semiconductor合作开发的一款65W有源钳位反激模式(ACF)参考设计，运行频率为140kHz，峰值效率为94.5%。

· (1x) 45W适配器参考设计采用准谐振反激模式(QRF)拓扑结构，可提供24 W/in³的功率密 度

· (3x) 65W适配器参考设计采用ACF或QRF拓扑结构，可提供30 W/in³的功率密度

· (1x) 100W适配器参考设计采用功率因数校正(PFC)+QRF拓扑结构，可提供18 W/in³的 功率密度

Transphorm的参考设计组合还包括两款开放框架的USB-C PD/PPS参考设计，频率范围110到140 kHz。Transphorm与Diodes Inc.合作开发了这两款解决方案，利用该公司的ACF控制器实现了超过93.5%的峰值效率。

· (1x) 65W适配器参考设计采用ACF拓扑结构，可提供29 W/in³的功率密度

· (1x) 140W适配器参考设计采用PFC+ACF拓扑结构，可提供20 W/in³的功率密度

Transphorm现场应用和技术销售副总裁Tushar Dhayagude表示：“Transphorm独具优势，可提供唯一能适用于广泛应用的、涵盖众多功率水平的氮化镓FET组合。我们的电源适配器参考设计凸显出我们的低 功率能力。我们提供与控制器无关的PQFN和TO-220器件，可以极大地简化设计。这些优势以及其他特点有助于客户快速、轻松地将 具有突破性功率效率水平的氮化镓解决方案推向市场。这正是Transphorm氮化镓器件的价值所在。”

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关于Transphorm Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓 知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体 器件。得益于垂直整合的业务模式，Transphorm能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。 Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低 20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormchina.com。欢迎在Twitter@transphormusa和微信@Transphorm_GaN上关注我们。

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