网传三星GalaxyS8或会采用8GB内存和UFS 2.1闪存芯片

来源：手机中国发布时间：2016-12-27 10:20:57

一直以来，三星的旗舰产品在配置方面几乎都是顶级的，唯独在运存方面，今年三星的S系列和Note系列都只有4GB的运存，或许在明年运存将不再是三星手机的槽点，因为近日有消息称三星GalaxyS8有可能会采用8GB内存和UFS 2.1闪存芯片。

之所以会有这样的消息放出，还是因为三星在今年10月份发布公告称，基于10nm工艺的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。因此三星的Galaxy S8会使用上8GB内存和UFS 2.1闪存芯片，在技术上已经没有什么阻碍，毕竟都是自家的东西。

此外，还有消息称三星Galaxy S8将会推出两个版本，而且都将采用双曲面屏，而屏幕尺寸分别调整至5.7英寸和6.2英寸，并且三星S8还将采用无边框设计，移除底部的Home按钮来提升屏占比。而处理器方面，考虑到高通下一代旗舰高通骁龙835是与三星合作研发，所以三星下一代旗舰机型Galaxy S8将首发骁龙835基本没有悬念了，并且三星还会将3.5mm耳机接口改为Type-C接口。

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